低温硫化制备ZnS薄膜的物理性质研究
采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn 金属薄膜,接着先后在200 和400 ℃ 温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出 ZnS 薄膜.薄膜样品的微观结构、物相结构、表面形貌和光学性质分别采用正电子湮没技术(PAT)、X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计进行表征.该ZnS 薄膜在可见光范围具有约80％的高透光率,随着硫化时间的增加,其带隙由3.55 增加到3.57 eV,S/Zn 原子比从0.54 上升至0.89,薄膜质量明显得到改善,相对于以前报道的真空封装硫化所制备的ZnS 薄膜,硫过量问题得到了较好解决.此外,慢正电子湮没多普勒展宽谱对硫化前后薄膜样品中膜层结构缺陷研究表明,硫化后薄膜的S 参数明显增大,生成的ZnS 薄膜结构缺陷浓度高于Zn 薄膜.
ZnS薄膜 磁控溅射 低温硫化 正电子湮没谱学
杨光 张仁刚 陈书真 柯进林 曹兴忠 张鹏 于润升 王宝义
武汉科技大学理学院,武汉 430081 武汉科技大学理学院,武汉 430081;中国科学院高能物理研究所,北京 100049 中国科学院高能物理研究所,北京 100049
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2019-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）