浅谈ODN链路衰耗超标的主要成因

摘要：

　　通过对ODN链路衰耗的现场测试,发现下行衰耗容易超标,我们对此超标的弱光现象进行了分析,发现造成链路弱光现象的主要成因在于链路上不规范的纤芯盘绕,这种盘绕产生的宏弯衰耗在长波长时表现得更为明显,从而造成长波长的链路下行衰耗超标,而且随着10GPON的应用,ODN下行将使用到1577nm波长窗口,因弯曲半径过小导致的宏弯损耗过大所带来的影响将会更大。

关键词： ODN链路 宏弯损耗 衰耗超标 弯曲半径

作者: 丁为民 杨珩 代岭

作者单位: 中国移动通信集团设计院有限公司安徽分公司 合肥 230041

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国通信学会2021年通信线路学术年会

会议地点: 江苏吴江

会议语种:中文

页码: 29-32

在线出版日期: 2021-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）