Ag<,2+δ>Te薄膜的低温纵向磁电阻
用蒸镀法制备的Ag-Te多层膜,通过热处理得到了非磁性的Ag<,2+δ>-Te薄膜。其在低温下有很大的负纵向磁电阻。在Ag<,2.1>-Te薄膜中出现电阻率和磁电阻的多重峰现象。这与Ag的掺杂浓度δ和测量温度有很大的关系,并用掺杂的能带理论很好地解释了出现的多重峰现象。
Ag<,2+δ>Te 低温纵向磁电阻 银掺杂 非磁性薄膜 电阻率 磁电阻 多重峰现象
梁冰青 王荫君 陈熹
中国科学院物理研究所凝聚态物理中心磁学国家重点实验室
国内会议
北京
中文
171-172
1999-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)