2.5～10Gb/s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究

摘要：

主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电器HEMTIC设计开展研究。着重讨论了PHEMT器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响，给出了满足电路性能要求的参数范围；对2.5～10Gb／sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真，眼图模拟结果表明满足2.5～10Gb／s高速光纤通信系统需要。

关键词： 高速光集成电路 光发射机 驱动电路 HEMT器件

作者: 高建军 袁志鹏 吴德馨

作者单位: 中科院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 145～149

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）