一种带有非线性漂移函数的分数阶忆阻器模型
忆阻器是具有记忆功能的非线性电阻，被公认为第四种基本的电路元件。分数阶忆阻器模型是整数阶忆阻器模型的推广，科研人员已经证实了分数阶忆阻器模型的存在，并分析了分数阶忆阻器模型的响应特性。在分析了现有整数阶和分数阶忆阻器模型的基础上提出了一种带有非线性漂移函数的分数阶忆阻器模型，并对忆阻器在阶跃信号、正弦和非正弦周期信号激励下的响应特性进行了实验分析，结果表明该模型能够较好地模拟分数阶忆阻器的特性，同时分数阶阶次和控制参数对忆阻器特性的影响规律也得到了分析和总结，对忆阻器在电学领域的应用具有一定的参考价值。
忆阻器 分数阶 模型 特性
甘朝晖 张士英 吴宇鑫
武汉科技大学信息科学与工程学院,湖北 武汉 430081
国内会议
珠海
中文
2884-2891,2899
2018-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）