高速CMOS电路交流特性辐照退化研究
(0) 该文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器／线驱动器在<”60>Co辐照下，交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明，在低剂量率0.07Gy(Si)/s辐照下，延迟时间T<,PHL>退化比高剂量率1.9Gy(Si)/s辐照下严重，且对加固电路，这一交流特性退化的剂量率效应更为明显。辐照偏对延迟退化肯有强烈的影响，4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的T<,PLH>和T<,PHL>产生较早而明显的退化。因此，为了评估此类电路的总剂量加固性能，需要考虑合适的辐照试验条件和评估方法是十分重要的。同时结果亦为如何进一步提高加因水平具有指导作用。
高速CMOS电路 交流特性 辐射退化
严荣良 余学锋 艾尔肯 郭旗
中国科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
国内会议
江苏扬州
中文
280～284
1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）