电子系统抗瞬时电离辐射加固技术研究
(0) 本文研究了基于ARM 微控制器的电路系统的瞬时电离辐射效应，针对其复位、大电流闭锁和烧毁的现象，深入研究了机理，提出了自顶层向下的“系统抗剂量率加固设计方法”，解决了实现该加固设计所面临的几个关键技术问题，并对加固性能和系统性能进行了匹配设计。研制了抗瞬时电离辐射加固样机，在“强光一号”加速器上完成了验证试验，试验结果表明：在较高γ剂量率条件下，加固样机成功规避了复位和大电流闭锁效应，功能和状态均运行正常，满足使用要求。
ARM微控制器 γ剂量率 瞬时电离辐射 瞬时回避 记忆重置
杜川华 赵洪超 曾超
中国工程物理研究院电子工程研究所
国内会议
兰州
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）