加固型SX8042MFRH运算放大器抗辐照试验研究

摘要：

　　对集成电路芯片的辐射效应研究在抗辐射领域比较广泛。本文对双极器件和电路的辐射物理机理进行了阐述，用钴60γ射线和中子反应堆对加固型SX8042MFRH 芯片进行辐射，研究了压摆率、增益带宽、失调电压、开环增益等关键参数在这两种模拟源下的变化情况，得到了该芯片对于两种模拟源的辐射能力，为提高该类芯片的抗辐射能力提供参考。

关键词： 运算放大器 γ射线 中子反应堆 SX8042MFRH

作者: 袁国火

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）