基于SOI硅微剂量探测器读出电路的设计
本文采用CMOS技术设计了一种大动态范围、低功耗的SOI硅微剂量探测器读出电路.该读出电路包括电荷灵敏前放(CSA)、极零相消(P-Z)、滤波整形器(Shaper)、电压甄别器(包括比较器与阈值调节DAC),分别实现了信号放大、滤波、甄别输出等功能.CSA的核心运放采用PMOS单端输入的折叠共源共栅结构,整形电路采用有源滤波,电压比较器由两级开环放大器与一级推挽反相器构成.采用GF chrt018IC工艺下进行的仿真,表明该读出电路的探测能量范围为5fC～500fC,单通道功耗约为2mW,总噪声性能为0.05fC+1.6×10-3fC/pF.
微剂量探测器 电荷灵敏前放(CSA) SOI 专用集成电路
袁媛 刘书焕 龙彪 李浩伟 杜雪成 刘晓波 张国和 贺朝会
西安交通大学,西安,710049
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）