Ⅲ-Ⅴ族HBT辐照效应国内外研究概述
以GaAs 为代表的第二代半导体材料具有禁带宽、本征温度高、临界击穿电场高、热导率高、电子饱和速度高等特点，用其制作的异质结双极晶体管及电路具有良好的光、电、热与抗辐照等特性，在空间与国防应用中潜力巨大。研究Ⅲ-Ⅴ 族异质结双极晶体管的抗辐射特性，对于未来先进武器和空间装备的更新换代和在辐射环境中的可靠性评估意义重大。本文简要介绍了Ⅲ-Ⅴ 族HBT 的研究现状，并总结和梳理了近年来国内外针对Ⅲ-Ⅴ 族HBT开展的辐照效应研究，为未来开展相关研究提供参考。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 HBT InP 位移损伤 单粒子翻转 辐照效应 综述
张得玺 郭晓强
国内会议
兰州
中文
1-15
2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）