工艺结构影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应三维数值仿真

摘要：

　　针对国产工艺制造的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)，采用半导体三维器件计算机模拟工具，建立单粒子效应三维损伤模型，研究工艺结构对SiGe HBT 单粒子效应的影响情况。分析比较离子入射不同工艺参数的器件后，各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的变化关系。结果 表明：SiGe HBT 器件结构和工艺对单粒子效应影响颇大，电流瞬变和电荷收集对同一工艺参数的单粒子效应敏感性的表征也不相同，针对不同电路应用的器件其抗辐射加固设计应分别考虑。此项工作的开展为国产SiGe HBT 空间抗辐射加固研究打下了良好基础。

关键词： SiGe HBT 单粒子效应 工艺结构影响 三维数值仿真

作者: 张晋新 贺朝会 郭红霞 郭旗 李培 李永宏 唐杜 马婷 樊云云

作者单位: 西安交通大学,710049,西安 中国科学院新疆理化技术研究所,830011,乌鲁木齐;西北核技术研究所,710024,西安 中国科学院新疆理化技术研究所,830011,乌鲁木齐

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-15

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）