深亚微米器件脉冲中子瞬时效应综述

摘要：

　　本文详细介绍了脉冲中子瞬时效应国内外的研究现状及发展动态，分析了脉冲中子、稳态中子、γ、X射线、高能电子和重离子辐射效应机理的异同性，探讨了脉冲中子辐射在深亚微米器件中产生高密度缺陷的漂移、演化、湮灭过程的多尺度数值模拟方法和试验研究方法，最后给出了一款130nmARM微控制器脉冲中子辐照试验的初步结果。

关键词： 脉冲中子 辐射损伤 瞬时退火 KMC方法

作者: 赵洪超 熊涔 曾超

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-8

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）