SPARC-V8架构微处理器的瞬时剂量率效应实验研究
本文针对北京微电子技术研究所研制的基于SPARC-V8 体系架构处理器电路，开发了瞬时剂量率试验测试系统，在“强光一号”装置上开展了瞬时γ射线电离辐照试验，试验结果获得了微处理器抗瞬时剂量率的翻转和闩锁的阈值指标，分析了瞬时效应产生的光电流对电路的影响机理，以及对电路功能和时序参数扰动的影响，并与国外微处理器等电路的产品指标进行了对比分析，结果表明，国产微处理器具有较高的抗瞬时剂量率能力。
微处理器 瞬时剂量率
郑宏超 赵元富 范隆 岳素格 陈茂鑫 杜守刚
北京微电子技术研究所
国内会议
兰州
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）