总剂量辐射对65nm静态随机存储器单粒子效应影响研究

摘要：

　　本文研究了总剂量辐射损伤对65nm 工艺静态随机存储器(SRAM)单粒子效应影响。试验结果表明累积总剂量辐射使65nm 工艺SRAM 器件单粒子翻转截面增大。总剂量辐射导致的存储单元晶体管阈值电压漂移、关态漏电上升使SRAM 对单粒子效应更为敏感。

关键词： 静态随机存储器 总剂量辐照 单粒子效应

作者: 郑齐文 崔江维 郭旗 王亮 岳素格 赵元富 刘杰 陆妩 余学峰 周航

作者单位: 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011 北京微电子技术研究所,北京,100076 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;中国科学院大学,北京,100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）