总剂量辐射致0.13um PD SOI NMOSFET热载流子增强效应研究
空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,SOI 技术由此进入空间科学应用舞台,这使得器件在应用中面临着深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战,进行SOI NMOSFET 电辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究,有助于对SOI 器件空间应用的综合可靠性进行评估。通过预辐照和未辐照、不同沟道宽长比的器件热载流子试验结果对比,发现了总剂量损伤导致的热载流子损伤增强效应,通过试验后的机理分析得到了该效应是STI 辐射感生电场增强沟道电子空穴碰撞电离率所引起。与未辐照器件相比,预辐照器件在热载流子试验中的衬底电流明显增大,器件的转移特性曲线、输出特性曲线、跨导特性曲线以及关键电学参数VT、GMmax、IDSAT 退化较多。文章还对宽沟道器件测试中衬底电流减小以及不连续这一特殊现象进行了讨论。
SOINMOSFET 电离辐射 热载流子
周航 郑齐文 崔江维 余学峰 郭旗 任迪远 余德昭 苏丹丹
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所件,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐,830011;中国科 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所件,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐,830011
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）