65nm NMOS器件总剂量辐照特性的低频噪声分析

摘要：

　　本文采用Ⅰ-Ⅴ测试和低频噪声测试相结合的方式，分析了65nm NMOS器件在总剂量辐照效应下的特性变化，计算出总剂量辐照感生的氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷，以及总剂量辐照前后的栅氧化层附近陷阱密度；器件Ⅰ-Ⅴ特性和低频噪声参数在总剂量辐射前后的变化显示，低频噪声测试能更直观的显示器件陷阱电荷的总剂量辐射前后的改变。

关键词： 总剂量辐照 低频噪声 65nm MOS器件

作者: 何玉娟 刘远 章晓文

作者单位: 工业和信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室,广州510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-9

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）