脉冲激光作用于半导体材料的剂量率效应仿真研究
剂量率效应通过在半导体材料内部产生电子-空穴对，诱发光电流，导致电路出错和失效。激光能够有效模拟辐射剂量率效应，并且相比于直线加速器、闪光X 射线以及回旋加速器等地面辐射装置，激光模拟方法具有安全、经济、方便等独特优势，逐步得到国内外辐射研究领域的认可，近年来中物院等单位在国内也展开相关研究。本文使用TCAD 工具研究激光与gamma 射线在剂量率效应方面的等效关系，首先基于TCAD 工具建立激光辐射模型，利用激光辐射模型，进行激光与半导体材料作用的仿真研究；对不同剂量率的gamma射线与半导体材料的作用进行仿真研究，通过对比仿真数据，建立激光强度与gamma 射线剂量率的等效关系。研究表明，激光和gamma 射线与半导体材料相互作用表现出相似的物理特性，激光照射强度与gamma 射线剂量率在一定范围内存在线性关系，通过一个比例因子，可以将激光照射强度与gamma 射线剂量率相对应，这对激光模拟剂量率效应试验具有重要的指导意义。
激光 gamma射线 辐射电离 剂量率效应 TCAD
李杰 孙鹏 李林哲 齐春华 肖立伊 李沫 张健
哈尔滨工业大学微电子中心,黑龙江,哈尔滨,150001 中物院微系统与太赫兹研究中心,四川,成都,610200?
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）