新型SiGe异质结双极晶体管低剂量率损伤增强效应机理研究
低剂量率损伤增强效应是双极型器件在空间辐射环境中发生失效的一种重要损伤模式.SiGe HBT由于其硅基能带工程的材料和器件结构的优势，具有卓越的低温特性和优异的抗总剂量辐照性能，使其具有推广应用于卫星通信、深空探测设备等极端空间环境中的潜在可能.然而，实验室辐照剂量率远高于实际空间辐射环境中的剂量率，这对预估卫星、空间站等低剂量率辐照环境下使用的电子元器件的实际抗辐射能力带来挑战.本文针对国产与国外典型器件开展SiGe 的低剂量率损伤增强效应机理研究，结合低剂量率辐照实验与数值模拟仿真方法，分析不同结构SiGe HBT的低剂量率损伤增强响应，探索SiGe HBT的低剂量率损伤增强效应的微观机制，为SiGe HBT及其电路在空间低剂量率环境中的应用提供理论基础.
锗硅异质结双极晶体管 低剂量率辐照损伤增强效应 不同结构SiGe HBT 数值模拟仿真
李培 贺朝会 张晋新 马婷
西安交通大学,西安710049
国内会议
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）