1MeV电子辐照下晶格匹配和晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究
本文对MOCVD 方法制备的晶格匹配和晶格失配GaInP/GaInAs/Ge 三结太阳电池进行了1.0MeV 电子辐射效应研究.辐照通量选取为1.01011 e/cm2.s,辐照注量范围为：—.对辐照前后电池的I-V 特性和光谱响应进行了测试分析.研究结果表明：在电子辐照下,两种电池的I-V 特性参数(开路电压Voc,短路电流Isc,最大输出功率Pmax)均发生了衰降,且晶格失配电池的I-V 特性参数衰降略大于晶格匹配电池.在光谱响应方面,对于顶电池,晶格匹配电池的衰降要大于晶格失配电池；对中间电池而言,前者的衰降要小于后者；另外Ge 底电池的光谱响应表现特殊,辐照后光谱响应变强.
GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池 晶格匹配 晶格失配 光谱响应 辐射效应
李占行 艾尔肯.阿不都瓦衣提 玛丽娅.黑尼 方亮 高伟 高慧 孟宪松 郭旗
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;中国科学院大学,北京100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011 中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300381
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）