不同能量硅离子双极晶体管位移辐照损伤及缺陷的影响
双极晶体管(BJT)是电子电路的关键组成单元,广泛地应用于空间环境中的电子设备及系统。双极晶体管对空间环境中的位移辐射损伤较为敏感,而不同能量的离子辐射到双极晶体管中,由于射程的不同会导致产生缺陷状态及分布的差异(如射程末端的级联效应),会对晶体管的电性能损伤产生不同的影响。本文选用10MeV,24MeV 和40MeV Si 离子,针对3DK2222 型NPN 双极晶体管进行辐照实验,研究不同能量Si 离子辐照条件下双极晶体管辐射损伤及缺陷的影响规律。本文利用SRIM 软件计算了三种能量Si 离子在晶体管内的吸收剂量分布,通过电性能原位测试双极晶体管电流增益,漏电流等参数随辐照注量的变化关系,研究了不同能量Si 离子对双极晶体管辐射损伤的影响。此外,还采用深能级瞬态谱(DLTS)针对辐照后的双极晶体管进行了测试,得到了双极晶体管内的辐射缺陷信息。基于电性能测试和DLTS 分析结果可以看出,双极晶体管在不同能量Si离子辐射条件下,所产生的位移缺陷状态有明显不同,且不同缺陷对晶体管电性能参数的影响也有所不同。
双极晶体管 重离子辐照 深能级瞬态谱
刘超铭 李兴冀 杨剑群 马国亮 赵英建
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨150001
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）