空间用CMOS图像传感器辐射效应研究

摘要：

　　全面系统地开展CMOS 图像传感器的辐射效应研究和辐射试验评估是提高CMOS 型图像传感器件抗辐射性能、科学评价器件抗辐射能力的重要手段。本文从器件的基本结构、工作原理出发，开展辐射效应、辐射机理研究，基于辐射加固器件进行了辐射试验评估和进一步辐射效应研究，并针对技术发展趋势，对新结构、新器件的辐射效应研究提出探索与思考。

关键词： MOS图像传感器 总剂量效应 单粒子效应 位移损伤效应 暗电流 暗信号响应非均匀性

作者: 刘丽艳 赵元富 宁静怡 刘晓会 晋孝峰

作者单位: 北京微电子技术研究所,北京,100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-8

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）