脉冲中子辐照下伴随γ对晶体管器件的影响实验研究
脉冲中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用CFBR-Ⅱ 快中子脉冲堆的实验通道，对双极晶体管进行了脉冲中子辐照，通过控制辐射场样品位置处的n/γ比，得到了中子及伴随γ粒子对晶体管的损伤特性。结果 表明，在CFBR-Ⅱ 堆辐照腔内，瞬时γ剂量率的变化在辐照初期对晶体管器件的影响显著，是导致晶体管直流增益出现“辐照效应峰”的主要原因。
脉冲中子 辐照 损伤效应 伴随γ
鲁艺 李俊杰 邱东 荣茹 邹德慧
中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900
国内会议
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）