不同剂量率下SOI NMOS瞬时辐照效应数值仿真
采用Sentaurus TCAD 构建了SOI NMOS 的二维模型，研究了总剂量相同而剂量率不同条件下器件的电学响应。分析了γ辐照效应的损伤机理，数值模拟了漏电流瞬变峰值随时间的变化关系以及不同偏置状态对SOI NMOS γ辐照效应的影响。结果 表明，器件分别工作于截止区、线性区和饱和区时，前者漏端电流对瞬时辐照的响应明显快于后两种工作状态，但器件的漏端电流变化幅度却依次增大。沟道掺杂浓度对辐照效应的影响较大，沟道掺杂浓度越小则漏电流瞬变峰值越大。
SOI NMOS γ射线 剂量率 数值模拟
马婷 贺朝会 唐杜 张晋新 李培
西安交通大学能源与动力工程学院,陕西西安710049
国内会议
兰州
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）