运算放大器uA741电离辐射效应及仿真技术研究
为了对运算放大器在电离辐射环境下损伤变化特征进行全面的研究，选择一组器件进行多种偏置的60Coγ总剂量试验，为了验证辐射敏感参数与系统性能退化关系，搭建了典型采集系统。结果 表明：运算放大器最劣辐照偏置为零偏；与以往的研究不同，在总剂量辐照后输出级参数亦表现出很强的退化趋势，且输出级参数的退化直接决定了系统的抗辐射能力；通过定性分析，确定输出级参数退化与运算放大器内部晶体管退化之间的关系，利用仿真工具对总剂量辐照下系统的性能退化进行了仿真建模。这不但对工程应用考核提供了参考，而且为设计抗辐射加固器件提供了指导。
运算放大器 60Co γ辐照 辐射损伤 器件仿真
马武英 姚志斌 何宝平 王祖军 刘敏波 黄绍艳 盛江坤
西北核技术研究所,西安710024;强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024
国内会议
兰州
中文
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）