90nm PMOSFET总剂量辐照与NBTI效应研究
负偏压温度不稳定性(NBTI)是微纳米MOS 器件主要的可靠性问题之一。当PMOSFET处于高温下的负偏压应力时,Si-SiO2 界面的感生陷阱电荷会造成器件参数退化,这和总剂量辐射(TID)损伤的原理类似。二者的相关性及可能的作用关系研究,对于辐射环境下器件的可靠性评估具有重要意义。已有少量文献报道TID 对NBTI 的影响,指出辐射会加剧器件的NBTI 损伤。然而,本文对90nm 工艺不同宽长比的PMOSFET 进行了总剂量辐照后的负偏压(NBT)应力试验,测试了器件的转移、输出、跨导特性曲线,结果表明辐照减弱了器件的NBTI 敏感性。
NBTI 总剂量辐射 可靠性
崔江维 郑齐文 余徳昭 周航 王信 魏莹 余学峰 郭旗 刘默寒
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;中国科学院大学,北京,100049
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）