磁电存储器电离总剂量效应研究

摘要：

　　新型存储器的出现，为航空航天电子系统应用提供了方便，磁电存储器MRAM 就是一种性能良好的新型存储器，本文简要介绍了MRAM 的基本原理，在钴源上对MRAM 进行了电离总剂量辐照试验，测试了其数据读、写功能及功耗电流随电离总剂量的变化，研究了MRAM 的电离总剂量效应规律。

关键词： 磁电存储器 电离总剂量 辐射效应

作者: 牛振红 张力 李志峰 白锦良 刘佳琪

作者单位: 试验物理与计算数学国家重点实验室 北京9200信箱76分箱7号 100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）