CMOS集成电路30keV单能X射线辐射效应

摘要：

　　对CMOS 集成电路CC4069 进行了30keV 单能X 射线辐射效应研究，针对无盖、陶瓷盖和Kovar 盖三种不同的封装形式，获得了CC4069 的电参数随X 射线累积剂量的变化，比较分析了不同封装形式的CC4069 单能X 射线辐射效应及损伤机理。

关键词： CMOS 单能X射线 辐射效应

作者: 牛振红 李志峰 李斌 张力 杜润乐 赵茜 刘佳琪

作者单位: 试验物理与计算数学国家重点实验室 北京9200信箱76分箱7号 100076 西北核技术研究所 西安69信箱 710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）