一种提高白光中子源中子产额的方法

摘要：

　　电子直线加速器型白光中子源是一种通用的中子辐照试验装置,在中子活化分析、抗辐射加固等领域有着广泛的用途。而中子源的中子产额是辐照试验的关键参数。本文基于铍对快中子有比较大的(n,2n)截面,介绍了一种通过在靶头包裹铍来提高电子直线加速器型白光中子源中子产额的方法。建立了复合靶结构模型,利用GEANT4 程序模拟计算了钨铍靶上的中子产额和中子时间分布。结果 表明：对于钨铍结构靶,当入射电子能量为30MeV 时该方法可以使中子产额提高45％。

关键词： 白光中子源 中子产额 钨铍靶 反应截面

作者: 宋朝晖 谭新建 卢毅

作者单位: 西北核技术研究所,西安710024;强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024 西北核技术研究所,西安710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-7

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）