单粒子辐照三栅SOI FinFET寄生双极晶体管效应研究

摘要：

　　论文采用Sentaurus TCAD 构建了一个32 nm 三栅SOI FinFET 数值仿真模型,研究了不同条件下单粒子辐照器件所引起的寄生双极晶体管效应,结果表明,对于不同的重离子LET,随着LET 的增大,寄生双极放大倍数β(t)随之减小；对于不同的重离子入射位置,在沟道与漏极之间的Fin 区域为单粒子效应的敏感区域。

关键词： SOI FinFET 单粒子效应 寄生双极晶体管

作者: 唐凯 张国和

作者单位: 西安交通大学微电子学院,西安710049;集美大学信息工程学院,厦门361021 西安交通大学微电子学院,西安710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-7

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）