商用CMOS有源像素传感器质子辐射损伤机理研究
通过3、10、23MeV 不同能量质子辐照试验,研究了商用CMOS 有源像素传感器(CMOS Active Pixel Sensors 简称CMOS APS)的辐照效应,深入分析了器件参数退化的物理机理。试验结果显示：随着质子注量的不断增大暗信号显著退化,暗信号的增大既有电离损伤效应产生大量的氧化物陷阱电荷Not 和界面态Nit 导致的表面暗信号,又有位移损伤效应诱发的体缺陷充当载流子产生中心使体暗信号增大。试验过程中还观察到器件受质子辐照后产生明显的暗信号尖峰。在相同注量下,3、10、23MeV质子引起器件暗信号损伤程度逐渐减小,但暗信号尖峰出现的像素数逐渐增大。
CMOS有源像素传感器 暗信号尖峰 随机电码信号 位移效应
汪波 李豫东 文林 郭旗 任迪远 孙静 张丹 马林东 刘元
中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号,830011
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）