双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别
通过对纵向NPN 晶体管、衬底PNP 晶体管和横向PNP 晶体管的结构特点和工作原理进行分析，并选取不同类型输入晶体管的双极工艺集成电路开展中子、γ协和效应对比实验，完成了双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别。结果 表明，横向PNP 晶体管是导致双极工艺集成电路出现退化增强的中子、γ协和效应的敏感单元；衬底PNP 晶体管是导致电路出现退化减弱的协和效应的敏感单元；具有纵向NPN 输入晶体管的电路不存在明显的协和效应。研究成果为后续开展双极工艺器件中子、γ协和效应机理研究奠定了基础。
双极工艺器件 中子位移效应 总剂量效应 中子、γ协和效应 敏感单元甄别
王晨辉 陈伟 金晓明 刘岩 齐超 杨善潮
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西北核技术研究所,西安710024
国内会议
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）