几种存储器瞬时剂量率效应比较
对三种不同类型存储器(SRAM、EEPROM 和FLASH)开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的瞬时辐射响应。对八种不同容量SRAM、三种EEPROM 及两种FLASH,进行了剂量率效应实验测量,测量了不同剂量率辐照下的电源电流、数据翻转情况、存储器擦除及编程能力及高剂量率辐照下的数据保持能力。研究认为：在瞬时辐照下,SRAM 的存储数据容易发生变化,即发生剂量率翻转效应；EEPROM 和FLASH 是浮栅电路,辐照时存储单元处于不加电状态,所以浮栅电路(EEPROM 和FLASH)存储单元的剂量率翻转阈值很高,在实验室的剂量率范围内,没有发生存储数据变化。分析了造成效应差异的原因。
SRAM 浮栅器件 EEPROM FLASH 剂量率闩锁阈值 剂量率翻转阈值
王桂珍 齐超 李瑞宾 白小燕 杨善潮 刘岩
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西北核技术研究所,西安710024
国内会议
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）