65nm体硅CMOS触发器的单粒子翻转和单粒子瞬态效应研究

摘要：

　　本文在65nm 体硅工艺下设计、测试了两款包含不同触发器链的测试芯片。分析在重离子辐照下，其翻转截面随离子LET 的变化，并用所提出时域分析方法分析错误来源。比较讨论不同DFF 的单粒子翻转(SEU)和单粒子瞬态(SET)，总结一些可行的辐射加固设计方法。本文首次通过实验证明冗余滤波(RDF)在减小SET 方面的有效性。

关键词： 触发器 辐射加固 冗余滤波 SET SEU 时域分析

作者: 王亮 赵元富 岳素格 刘家齐 王丹 郑宏超 陈茂鑫

作者单位: 北京微电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-9

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）