基于双指数电流源数学模型的软错误评估方法

摘要：

　　本文提出一种双指数数学模型拟合方法来评估SRAM 存储器单粒子效应翻转截面。基于65 纳米CMOS SRAM 存储器，采用TCAD 重离子仿真进行粒子入射产生瞬态电流的参数提取。采用双指数电流源拟合了粒子入射在漏极内核漏极外的漏电流曲线，并进行Geant4蒙特卡罗仿真。结果 表明，本文提出的方法可较准确的评估SRAM 单粒子效应的错误率。此外，此方法可避免构建复杂敏感体，提高错误率评价效率。

关键词： 单粒子效应软错误双指数电流源 TCAD 蒙特卡罗仿真

作者: 王天琦 霍明学 周彬

作者单位: 空间技术科学研究中心,哈尔滨工业大学,150001

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-10

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）