一种表面镀膜低原子序数材料降低SGEMP效应的设计方法
(0) 受X 射线辐射的电子学系统内会产生SGEMP 效应,SGEMP 效应以电荷累积效应、线缆强置换电流注入、强场耦合及辐射等多种形式作用于电子电路和系统,严重威胁并影响电子学系统的正常工作。通过抗SGEMP 机理分析、镀膜材料性能数值分析、样机设计及实验验证,提出一种在系统腔体内表面镀膜一定厚度的低原子序数材料,通过降低SGEMP 的激发源-光电子数来大幅度减小电子学系统内产生的SGEMP 效应强度的设计方法。研究结果表明,腔体表面镀膜低原子序数材料可大幅度降低表面电子发射(表面镀膜270μm 厚度的AL2O3材料降低电子发射率96％),实现了有效降低SGEMP 效应强度。
SGEMP效应 低原子序数材料 表面镀膜 光电子发射效率
王艳 周开明 邓建红 邱有恒 杨剑
中国工程物理研究院电子工程研究所 北京应用物理与计算数学研究所 北京有色金属研究院
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2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）