PPD CMOS图像传感器不同剂量率辐照下的总剂量效应实验及退火研究
开展了由0.18 μm工艺制造的PPD CMOS图像传感器在不同剂量率辐照下的总剂量效应实验，分析了PPD CMOS图像传感器的辐射敏感参数如暗电流、暗信号不均匀性(DSNU)、随机噪声、饱和输出、信噪比(SNR)、动态范围(DR)等随总剂量变化的实验规律，比较了PPD CMOS图像传感器在剂量率分别为0.3、3.0、30.0 rad(Si)/s辐照时的退化程度.分析了不同剂量率辐照PPD CMOS图像传感器产生退化差异的损伤物理机制.开展了PPD CMOS图像传感器总剂量辐照后的退火测试研究.
CMOS图像传感器 剂量率 总剂量 暗信号 随机噪声 退火
王祖军 刘静 薛院院 何宝平 姚志斌 马武英 刘敏波 盛江坤
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西北核技术研究所,陕西 西安 710024 湘潭大学,材料科学与工程学院,湖南 湘潭 411105
国内会议
兰州
中文
1-8
2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）