低剂量率辐射损伤增强梯度分析
(0) 本文重点梳理分析了从1991 年到现在25 年的低剂量率辐射损伤增强效应试验研究成果.详细介绍了BJT、MOSFET、BJT 和JFET 输入运算放大器、比较器、线性电源不同剂量率辐照条件下总剂量损伤效应的差异.作为以不同剂量率条件下电参数退化比值作为增强效应表征的补充，提出了以器件总剂量失效阈值的比值来表示低剂量率辐射损伤增强效应的设想.应用低剂量率辐射损伤(平均)增强梯度的概念分析了各类器件的低剂量率辐照损伤增强效应强弱，比单纯使用增强因子能更有效地表征器件对不同辐照剂量率的敏感性.提出了按照增强梯度对各类器件ELDRS 进行分类的建议，即增强梯度小于1.3 为微小增强，在1.3～1.7 之间为普通增强，在1.7～2.3 为典型增强，在2.3～2.7 之间为超级增强，增强梯度超过2.7 为极端增强.
低剂量率辐射损伤增强效应 增强梯度 增强因子 总剂量
许献国 熊涔 曾超 肖龙远 陆妩 郭旗
中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆830011
国内会议
兰州
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1-7
2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）