激光入射位置对PD-SOI MOSFET单粒子瞬态效应的影响

摘要：

　　本文采用激光模拟单粒子设备和仿真软件对部分耗尽SOI MOSFET器件的单粒子瞬态效应敏感区进行了研究。激光/重离子从MOSFET的不同位置入射,通过对比SET曲线的趋势来确定器件敏感区域。同时,通过软件模拟重粒子入射后器件内部电势的变化及电子/空穴浓度的变化,研究寄生双极晶体管效应对单粒子瞬态效应的影响。研究表明,n-MOSFET存在显著的单粒子效应敏感区域,同时寄生双极晶体管效应对单粒子效应有显著影响。

关键词： 单粒子瞬变 激光测试 寄生双极晶体管 部分耗尽绝缘体上硅

作者: 闫薇薇 李晓静 高林春 曾传斌 赵发展 罗家俊 韩郑生

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-8

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）