静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究

摘要：

　　在西安脉冲反应堆，实验研究了静态随机存储器(SRAM)与电源芯片典型电路结构中，电源芯片对SRAM 存储器中子单粒子效应的影响。由于电源芯片位移损伤效应的影响，中子辐照造成电源芯片失效、输出电压陡降，导致后级SRAM 存储器数据全部丢失，是该结构电路最重要的失效模式。

关键词： 静态随机存储器 中子辐射效应 中子单粒子效应 位移损伤 系统

作者: 杨善潮 齐超 金晓明 刘岩 王晨辉 王桂珍 林东生 李瑞宾

作者单位: 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西北核技术研究所,西安710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）