90nm商业级SRAM器件单粒子效应研究

摘要：

　　伴随着半导体技术的不断发展，器件的工作电压进一步降低，特征尺寸不断减小，对于单粒子效应越来越敏感。本文利用中国科学院近代物理研究所重离子回旋加速器及北京大学质子加速器产生的Kr、Bi 及质子，针对90nm 工艺的商业级静态随机存储器件(SRAM)开展了单粒子翻转实验研究。实验结果表明，该器件对于重离子十分敏感。并且在此基础上对饱和截面填充图形的影响进行了研究，发现数据填充图形对于器件单粒子效应的测试也会带来一些影响。另外由于翻转所需临界电荷的降低，低能质子直接电离已经能够导致单粒子翻转效应。

关键词： SRAM 单粒子效应 重离子 质子 直接电离 数据填充 翻转截面

作者: 叶兵 刘杰 孙友梅 习凯 罗捷 刘天奇 王斌 殷亚楠 姬庆刚

作者单位: 中国科学院近代物理研究所,兰州730000;中国科学院大学,北京100049 中国科学院近代物理研究所,兰州730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）