8Gb NAND Flash存储器的重离子单粒子效应研究

摘要：

　　本文利用兰州重离子加速器对8Gb NAND Flash 存储器进行了单粒子效应实验。研究了不同工作模式、写入数据和工作电压对Flash 存储器SEU 截面的影响，发现在连续读模式下芯片FG 错误截面比处于静态模式下的芯片FG 错误截面大一个数量级左右。而工作电压变化对错误截面基本没有影响。在实验中发现了电流峰现象，同时伴随着单粒子功能性中断的产生。我们也对Flash 存储器中FG 错误的退火进行了研究。

关键词： Flash存储器 工作模式 SEU 电流峰

作者: 殷亚楠 刘杰 刘天奇 习凯 王斌 叶兵

作者单位: 中国科学院近代物理研究所,兰州730000;中国科学院大学,北京100049 中国科学院近代物理研究所,兰州730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2016-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）