高能粒子辐射加固CZ硅单晶的热处理技术

摘要：

辐照加固ＣＺ硅单晶受高能粒子辐射，由于辐照缺陷的产生，使期电阻率相对于其原始值有一定的偏离，经氮气气氛、６５０～７００℃热处理，其电阻率可以其本恢复原始值。

关键词： 高能粒子 辐射加固 硅单晶 热处理

作者: 佟丽英 裴志军 张忆延

作者单位: 电子材料研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 77～78

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）