一种新型的反射式高能电子衍射仪
该文详细介绍了作者设计和制作的一种新型的反射式高能电子衍射仪(new-RHEED)的 结构和特性。配在常规的脉冲激光沉积(PLD)设备上，可用来原位分析高氧气压下的生长的 高温超导薄膜的生长模式和基片表面结构及其关系。用半导体单晶硅(001)样品检验生长室 内的高气压对高能电子衍射花样的影响。采用叁级差分真空抽气技术，生长室的氮气，氧气压分别可增加到44Pa和28Pa，清晰的衍射花样仍然能观察到，生长室的气压大于100Pa后， 电子枪的真空度才开始下降。
高能电子衍射仪 脉冲激光沉积 高温超导薄膜
陈莺飞 胡文斐 赵新杰 李林
中国科学院,物理研究所,国家超导实验室 中国科 学院,物理研究所,国家超导实验室
国内会议
成都
中文
60～63
2000-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）