氮化镓基器件与超小型电源模块的研究
以氮化镓为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、电子迁移率和饱和速度高、介电常数小、耐高温等特点(表1)，特别适合于制造射频器件，光电子器件，以及电力电子器件，在5G通信，新能源电力系统，以及国防军工等市场具有明确而可观的市场前景.尤其是我国"十三五"期间，国家发展改革委将第三代半导体等化合物半导体器件列入"十三五"集成电路重大生产力布局规划.同时，《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》和《<中国制造2025>重点领域技术路线图》已将第三代半导体等关键战略材料列入十大重点领域.在经费支持方面，国家科技部将第三代半导体列入国家重点研发计划"战略性先进电子材料"重点专项.在过去的2年内(2016-2017)，重点专项在第三代半导体氮化镓研究方向(材料，器件，装备等)共计部署了13个项目，中央财政经费约3.97亿元(2016年度：约2.68亿元；2017年度：约1.29亿元).在电力电子器件应用方面，相比较传统的硅(Si)基材料和砷化镓(GaAs)基材料，氮化镓基材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、以及介电常数小等独特的材料性能，使得氮化镓器件可以同时兼顾高压、高频、以及高功率的特性.氮化镓基的电力电子器件可以实现高效率小型化的电力电子系统，实现高效电力转化和减少电能转化消耗，达到节能减排目的 .节能减排可以促进我国产业结构转型升级，实现智能绿色制造.因此开展第三代半导体氮化镓的研究符合国家的战略规划，进一步强化我国在新兴新能源产业的市场地位(中国是全球最大高铁列车制造国和全球最大的电动汽车市场).
第三代半导体 氮化镓器件 氮化镓基电源模块
刘新科
深圳大学材料学院,深圳518060
国内会议
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9-11
2018-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）