双栅结构AlGaN/GaN HEMT的仿真研究

摘要：

　　本文提出一种具备新型双栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件，利用MIS栅结构与肖特基栅结构相结合，两种栅结构分别采用不同功函数的金属栅电极，该结构能够提高器件的导通特性，降低泄漏电流并提高击穿电压，利用Sentaurus软件对双栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件进行仿真，分析新型的双栅结构对比传统栅结构的优势，并从电势及电场分布的角度探讨器件性能提升的原理。

关键词： 双栅 肖特基栅 MIS栅 Sentaurus仿真

作者: 石黎梦 刘美华 董宁钢 林信南

作者单位: 北京大学深圳研究生院,深圳518055

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国电技术节能第十四届学术年会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 56-58

在线出版日期: 2018-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）