具有高输出电流的双掺杂p型栅增强型AlGaN/GaN HEMT

摘要：

　　本文通过TCAD仿真软件进行验证了具有双掺杂p型栅(DDP)能够改善增强型AlGaN/GaN HEMT输出电流.AlGaN栅极层的p型重掺杂区域确保器件处于具有足够高的阈值电压,AlGaN栅极层的p型轻掺杂区域用以降低沟道电阻.模拟结果表明,DDP HEMT在具有安全的阈值电压(VTH=1.5V)的同时,比传统的p型栅极(CP) HEMT (IMAX=144mA/mm)提供更大的输出电流(IMAX=334 mA/mm).

关键词： 增强型 高电子迁移率晶体管 双掺杂 p型栅 输出电流

作者: 邝文腾 石黎梦 孙辉 刘美华 陈东敏 林信南

作者单位: 北京大学深圳研究生院,深圳518055 北京大学交叉学科研究院,北京100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国电技术节能第十四届学术年会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 59-61

在线出版日期: 2018-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）