一种高功率应用的增强型P-GaN AlGaN/GaN HEMT

摘要：

　　本文介绍了一种新的增强型p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT器件，这种新型器件在GaN沟道层与AlGaN缓冲层之间插入了一层lnGaN层.本文利用Sentaurus TCAD仿真软件对该新提出的器件结构进行研究，仿真结果证明，使用该新结构可以同时得到更高的开态漏极电流(更低的开态电阻)和更高的击穿电压，使BFOM值提高34.8％.

关键词： AlGaN/GaN HEMT AlGaN缓冲层 InGaN层 BFOM

作者: 董宁钢 林信南

作者单位: 北京大学深圳研究生院,信息工程学院,深圳先进电子器件与工艺重点实验室 中国广东省深圳市

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国电技术节能第十四届学术年会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 72-73

在线出版日期: 2018-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）