LaAl1-xGaxO3非晶制备及性能研究

摘要：

　　采用溶胶-凝胶法和无容器凝固技术制备了 LaAl1-xGaxO3粉末和非晶.在B位,Ga3+取代Al3+的掺杂量从x=0增加到x=1.0.XRD结果表明,煅烧温度为850℃时,所有组分得到的粉体均为无杂相的钙钛矿相.XRD的数据也证明了实验制备的非晶球为非晶.随着Ga3+含量的增加,100 kHz的介电常数在15～19之间,对应的介电损耗小于0.007.所制备的非晶材料具有低至10-11 A/cm2的漏电流,同时呈现较高的折射率,在633 nm均大于1.8.

关键词： 非晶 La-Al-O Ga3+掺杂 无容器凝固技术

作者: 张敏 张晓燕 齐西伟 李颖 彭斌

作者单位: 东北大学,辽宁沈阳110819 东北大学秦皇岛分校河北省电解质功能材料重点实验室,河北秦皇岛066004;东北大学秦皇岛分校,河北秦皇岛066004 东北大学秦皇岛分校,河北秦皇岛066004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二十届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 83-86

在线出版日期: 2018-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）