Φ300mm硅单晶生长工艺研究

摘要：

该文讨论了Φ３００ｍｍ硅单晶生长中新问题，分析了热对流、热场、拉晶工艺以及设备控制对晶体生长的影响，磁场条件和设备稳定控制是Φ３００ｍｍ硅单晶生长的基本条件，热场配置和拉晶工艺是控制大直径单晶的关键。

关键词： Φ300mm硅单晶 热场配置 拉晶工艺

作者: 吴志强 张果虎 常青 方锋

作者单位: 有色金属研究总院半导体中心北京有色金属研究总院半导体中心 有色金属研究总院半导体中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 133～135

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）