提高双δ掺杂P-HEMT功率性能的设计及工艺实施

摘要：

该文提出通过优化δ掺杂PHEMT夹断电压数值提高器件功率性能的设计，在工艺上采取使用简便的电学控制腐蚀替代常用的化学选择腐蚀方法；设计了新颖的材料结构；进一步优化腐蚀条件第三项措施使挖腐蚀得到了精确控制。最终研制出fo:35Ghz;Po:156mw;D:1w/mm;Gp:4dB;η：40℅；f<,T>:65GH<,2>的PHEMT功率器件。

关键词： δ掺杂 P-HEMT器件 功率性能

作者: 张绵 赵静

作者单位: 电子工业部第十三研究所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 214-215

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）